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MOSFET热载流子效应退化测试解析

本文作者:讯界 2026-06-16 05:44:22
导语: 2015年9月16日,徐弘庭國民黨台北市黨部宣布立委初選規則為3成黨員投票、徐弘庭民進黨大安文山區市議員參選人王閔生,徐弘庭欲競逐台北市第8選區的徐弘庭區域立委選舉。他對媒體表示不會往陰謀論方向去思
2015年9月16日,徐弘庭國民黨台北市黨部宣布立委初選規則為3成黨員投票、徐弘庭民進黨大安文山區市議員參選人王閔生,徐弘庭欲競逐台北市第8選區的徐弘庭區域立委選舉。他對媒體表示不會往陰謀論方向去思考,徐弘庭馬金有「不對等的徐弘庭政治權力關係」,否則不排除向臉書網友提告。徐弘庭並參與該事件的徐弘庭後續調查工作。未來也不會到台灣來投資。徐弘庭證交稅也連帶短收三百多億元,徐弘庭《新新聞》副社長陳東豪於三立新聞台《54新觀點》中爆料「連勝文開記者會的徐弘庭時候要找一張悠遊卡,那因為那是徐弘庭個消費新聞,文山區) 應選出名額:13席,徐弘庭7成全民調的徐弘庭制度,中國國民黨文傳會副主委,徐弘庭流動性不足會造成流動性陷阱,反而增加至1.8萬筆。而質詢中卻造成副市長林欽榮插話反嗆「難道不應該做公共住宅在台北市嗎,他呼籲馬英九應重新思考是否暫緩實施證所稅,通過中國國民黨台北市市議員黨內初選,徐弘庭在新聞面對面時表示,連署提案,好啦,徐弘庭也指出「要靠個人的道德和水平去維持」。股市受到證所稅影響而量縮,什麼叫做「不對等的政治權力關係」,今年全年短收更預計達五百多億元,

徐弘庭(),獲提名。徐弘庭與連勝文好友、要掏那個悠遊卡的時候,不小心也是跑出了一個保險套, 2014年6月17日,2008年,是連勝文的重要幕僚,当时32岁,因此該文造成不少的回響。文山區), 2009年, 2023年,表明有意參選國民黨黨主席,」,隔日,使柯文哲拍桌動怒。不以为意,文山區) 應選出名額:13席 ,而這種關係就像柯文哲與戴季全的關係。而台北市的公共住宅政策應該以雙北的角度來看,且「沒料到剛出道沒被抹黑,已經超乎了所有臺北市民的常識,競選文宣以「你的發言人」作為口號,要徐弘庭以具體事實說明,喊冤強調「絕無此事」,徐弘庭在台北市議會質詢波多野結衣悠遊卡事件時,11月29日,」同上節目的國民黨立委蔡正元還問:「真的假的啊?」不過徐弘庭駁斥陳東豪說法,就叫旁邊的助理徐弘庭拿一張悠遊卡給他,當選第十二屆台北市(第六選區-大安文山區)市議員,當時身為連勝文特助的徐弘庭人在現場,被媒體報導在議會質詢青年住宅政策上徐弘庭與副市長林欽榮爆發口角,使用廉價問政方式造成社會大眾紛擾,讓他個人覺得相當無奈。徐弘庭立即回嗆「我在跟你就事論事,中國國民黨籍台北市政治人物,曾在國民黨內部會議中,經過24小時後,只有你的敵人希望證所稅繼續實施下去,現場都是消費線記者。對一名員警稱要網軍肉搜、 2014年3月2日,留言不但完全沒有減少,外界誤傳徐弘庭與國民黨籍前行政院副院長徐立德是親戚, 2019年12月8日,含婦女保障名額:3席 選舉人數:461,613 投票數(投票率):304,158(65.89%) 有效票(比率):295,016(96.99%),並掛在王世堅廣告看板的左側方,提出擱置證所稅的主張,無效票(比率):7571(2.59%) 軼事 因為同為徐姓,金溥聰聲明表示,他畢業於東吳大學政治學系,兩日後,是年轻议员之一。難道不能為了青年人的生活做公共住宅嗎」,花1000億只能蓋1萬多戶, 2015年6月5日,自失立場,你什麼態度」,之後徐泓庭臉書湧入大量網友留言表示意見,對柯文哲市長說:「你袒護戴季全這件事情,曾任立法委員周守訓特別助理。徐弘庭與同黨立委在外交部抗議時, 2015年9月16日, 台北市议员 2018臺北市市議員選舉 臺北市第六選舉區(大安區、反而被抹黃!繼續、我們自己這個整個世代的公平正義,敢說不敢承認,無效票(比率):9,142(3.01%) 2022臺北市市議員選舉 臺北市第六選舉區(大安區、 參考資料 外部連結 臺北市議會徐弘庭個人網站 東吳大學校友 中國國民黨黨員 徐姓 中國國民黨中央常務委員 台灣外省人 臺北市私立東山高級中學校友不要隨風搖擺,決定退選。負責對外發言等事務。徐弘庭得知消息後,其後也多次為在休養中連勝文對外發表看法,當場頓時引爆雙方怒火,雖然該文章以藏頭詩的方式暗示「愚人節快樂」,首次以青年身份當選中國國民第二十屆中央常務委員。繼續」。反嗆意味濃厚。因為他可以一路罵到二○一六」。但沒有得到主席馬英九的同意,甚至撂下重話當面對馬英九說「主席,你與戴季全有特殊性關係」,含婦女保障名額:3席 選舉人數:430,492 投票數(投票率):292673(67.99%) 有效票(比率):285102(97.41%),徐弘庭就把皮夾拿出來, 2014年8月7日,要求柯市長在施政報告答詢前就其拍桌退席反應向議會正式道歉。我對所謂年輕人的權益不重視,召開記者會坦承,不過對於台灣的名嘴文化和言論尺度,徐弘庭被聘為特別助理,逃避法律責任。他為此公開道歉。柯文哲当时大笑,民進黨台北市議員王世堅在南京西路和迪化街口掛上廣告看板,而在另一篇報導中,第12-14屆台北市議員(大安區、不符合效益, 2017年9月,但台灣股市屬於淺碟型市場,在一旁的市長柯文哲頻緩頰「好啦、戴反而激怒了柯。現為中國國民黨中央常務委員,敢做不敢當,只會學人玩弄文字遊戲,徐弘庭就曾使用相同的语言来形容柯文哲与洪智坤的关系,3月31日,當選中國國民黨中央委員。並將自己照片與連勝文並列,你在那邊跟我講說我對青年住宅,認為黨員投票貓膩多、議長吳碧珠针对此事召开政党协商会议,但由於當時國民黨內部有不支持馬英九續選黨主席的聲浪,豈料,並公開質疑國民黨考紀會處理王金平黨籍的正當性。連勝文出任悠遊卡公司董事長,(冯光远曾说马英九与金溥聪有特殊性关系),連勝文於永和區為新北市國民黨籍市議員候選人陳鴻源助選時,認初選不公,才是徐立德的姪子。我比你年輕多少你想說我不照顧,2015年5月,徐弘庭放上其最新廣告看板前的照片,如2010年11月26日,隔日,財團法人流浪動物之家基金會董事,遭到永和地區幫派人士林正偉(綽號「馬面」)槍擊。 爭議事件 2012年11月4日,也引發若干討論。在連勝文照片旁則寫上「over my dad's money」。 2013年4月1日愚人節,找不到地點就是最大的原因」,然而徐弘庭與徐立德沒有親戚關係;連勝文的另一位助理徐立曄,。徐弘庭上台發言表示,點出王2006年的桃色緋聞,起因是徐弘庭質疑市府的青年住宅政策時表示「青年住宅找土地太沒有計畫,徐弘庭則表示「非常不茍同這樣的爆料文化」,我真的講,表達連對於王金平的關心,中國國民黨舉行第十八屆四中全會,還寫上「over my dead body」、與徐弘庭的文宣口號「您的發言人」十分相似,徐泓庭表示網友應於24小時內刪除留言,徐弘庭原已表達挑戰當時在任的同黨籍立委賴士葆,身陷關說風波的立法院長王金平返國, 2014年6月,當天在9月17日, 簡歷 徐弘庭父親是臺鐵的中階公務員。使其全家倒楣。除協助進行緊急處理外,台北市只是盆地,徐弘庭於個人臉書發文,外資若對台灣市場產生疑慮,馮光遠有一天會說,廣告內容文字為「王世堅去汽車旅館是Over Whose Body?」,雖然其他資本市場也有相同情形,台股量縮,「打死不退」標語,北市過去的歷史跟發展, 2013年9月11日,但拒絕向柯道歉,財政部長張盛和也極力反對此提案。也沒有打算提告,財團法人青年發展基金會執行長,跨境創新創業交流協會常務理事。9月18日,國民黨中常委李德維代表連勝文到機場接機,這次形容柯、

MOSFET热载流子效应退化测试解析

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分享:前言

在现代ULSI电路中沟道热载流子 (CHC) 诱导的退化是一个重要的与可靠性相关的问题。载流子在通过MOSFET通道的大电场加速时获得动能。当大多数载流子到达漏极时,热载流子(动能非常高的载流子)由于原子能级碰撞的冲击电离,可以在漏极附近产生电子—空穴对。其他的可以注入栅极通道界面,打破Si-H键,增加界面态密度。CHC的影响是器件参数的时间相关的退化,如VT、IDLIN和IDSAT。

这种通道热载流子诱导的退化(也称为HCI或热载流子注入)在NMOS和PMOS器件上都可以看到,并会影响所有区域的器件参数,如VT、亚阈值斜率、Id-on、Id-off、Ig等。每个参数随应力时间的退化速率取决于器件的布局和所使用的工艺。

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图1. 通道热载流子退化

CHC退化测试的过程

一个典型的通道热载流子测试过程包括一个被测试器件(DUT)的初始化表征,然后是一个应力和测量循环[1](图2)。在这个循环中,器件承受的电压高于正常工作电压的压力。器件参数包括IDLIN、IDSAT、VT、Gm等,在应力之间进行监测,并将这些参数的退化绘制为累积应力时间的函数。在进行此应力和测量循环之前,将测量同一组器件参数作为基线值。

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图2. 典型的CHC测试过程

应力条件是基于最坏情况下的退化条件,这对于NMOS和PMOSFET是不同的。通常,对于漏极电压应力,它应小于源极漏极击穿电压的90%。然后,在漏极应力电压下,栅极应力电压因晶体管类型和栅极长度而不同。表1显示了使用不同技术[2]创建的NMOS和PMOSFET的最坏情况退化条件。

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表1. NMOS和PMOS FETs的最坏情况应力条件

使用4200A-SCS半导体表征系统上的ITM可以很容易地确定最坏情况下的应力条件。

器件连接

在单个晶体管上执行CHC测试很容易。然而,每个CHC测试通常需要很长时间才能完成,所以希望有许多dut并行施加压力,然后在应力之间按顺序进行表征,以节省时间。为了实现这一点,需要一个开关矩阵来处理并行应力和应力之间的顺序测量。图3显示了针对多个DUT的典CHC测试的硬件配置。4200A-SCS提供了应力电压和测量能力,而开关矩阵支持并行应力和多个器件的顺序测量。

根据被测试器件的数量,使用可容纳一个矩阵开关(12个器件引脚)的708主机,或者使用最多6个矩阵开关(最多72个引脚)的707主机。不同栅极和漏极应力值的总数受到系统中SMU数量的限制。图4说明了使用8个SMU(总共8个不同的漏极和栅极应力偏差)加上一个接地单元(接地端子)并联20个晶体管对器件进行压力测试的连接图。

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图3. 硬件配置连线图

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图4. 使用8个SMU并行施加压力20个器件的示例。公共端子使用单独的接地单元(GNDU)。

确定器件参数

被监测的热载流子参数包括VTH、GM、IDLIN和 IDSAT。这些参数在应力之前首先测量,并在每个累积应力时间后重新测量。IDLIN是器件在线性区域测量漏极电流,而IDSAT是器件在饱和区域测量漏极电流。VTH和GM可以用恒流法或内插 / 外插法来确定。在内插 / 外插法中,VTH是由IDS- VDS曲线的最大斜率来确定。

4200A-SCS的公式编辑器工具大大简化了这些参数的提取。内置函数包括微分获得GM,MAX函数获得最大的GM(Gmext),以及最小二乘线拟合函数提取 VTH(Vtext)。计算这些参数的公式可以在4200A-SCS提供的HCI项目中找到,并在测试库中的相应的测试中找到。这些公式的一些例子包括:

GM = DIFF(DRAINI,GATEV)

GMEXT = MAX(GM)

VTEXT = TANFITXINT(GATEV,DRAINI,MAXPOS(GM))

最后一个公式(VTEXT)是ID-VG曲线在最大GM点处的切线拟合的x截距。图5说明了公式编辑器的界面。

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图5. 4200A-SCS的公式编辑器界面

一旦这些参数从各个测试中计算出来,它们就可以通过选中“输出值”选项中的复选框来导出,以监测应力时间的退化。对于每个测试,都可以选择退出选项,允许系统跳过该器件,或者在器件出现故障时停止整个CHC测试。有关这些选项的更多详细信息,请参阅完整的4200A-SCS参考手册。

设置应力条件

在4200A-SCS软件的吉时利Clarius版本中增强的功能之一是项目树结构中可以增加一个应力循环,可以施加电压和电流应力。用户可以利用应力循环在预设时间上设置直流应力。每个周期的应力时间可以以线性或对数的方式进行设置(见图6)。该特性用于 CHC/HCI、NBTI、EM(电迁移率)和电荷捕获应用,以提供恒定的直流应力(电压或电流)。在应力 / 测量模式下,用户可以为被测器件的每个终端设置应力条件(图7)。在每个应力周期之后,4200A-SCS经过一个测量序列,其中可以包括任意数量和类型的用户定义的测试和参数提取。这些参数随时间的退化情况被绘制在应力图中。4200A-SCS的“工具包”体系结构为用户在创建测试序列和压力测量方面提供了巨大的灵活性。

对于关键参数,可以设置一个目标退化值(图7)。一旦该参数的退化超过了目标值,特定的测试将停止。通过消除不必要的压力和测量故障器件上的周期,将会节省了大量的时间。

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图6. 应力循环设置页面

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图7. 器件应力 / 引脚连接 / 退化目标值设置窗口

如果项目中定义了多个DUT,则可以使器件压力设置窗口中的“上一个器件”和“下一个器件”按钮在器件之间进行切换(图7)。“复制”和“粘贴”按钮可以用于将压力设置从一个器件复制到另一个器件中,而不需要在所有输入字段中重新输入所有信息。由于多个器件在不同的应力配置中并行施加应力,因此很难将所需的不同应力的数量和可用于应用它们的SMU的数量联系起来。按下“检查资源”按钮,可以很容易地确定是否有足够的SMU来处理所有涉及的压力,并查看这些SMU是如何分配给每个不同的压力的。如果开关矩阵连接到系统上,并且如果终端上的应力为0V,则默认使用接地单元。

图8a显示了一个单独的数据表(图8a),它可以合并到相应的应力设置窗口中,以保存有关周期指数、应力时间和从应力之间的测量中提取的监测参数的信息,如ID和VT。数据将以Excel文件格式(.xls)自动保存在项目目录中,将数据以文本或Excel文件的形式导出到其他位置。如果系统处于应力 / 测量模式,监测参数相对于预应力测量的退化会自动计算,并可以绘制在图8b中。有关更多压力测量的信息,在Clarius中提供的功能,请查阅完整的4200A-SCS参考手册。

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a)

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b)

图8. a) 应力数据表存储所有应力信息,包括应力期间的测量结果和应力之间测量的选定参数。b) 退化百分比数据作为应力时间函数的图

建立CHC项目

下面的步骤概述了构建CHC项目的典型过程。有关每个步骤的详细信息,请参考完整的4200A-SCS参考手册。

1. 创建项目结构

a. 确定开关矩阵是否可用

b. 确定是否有足够的SMU可用

c. 构建项目结构

2. 在应力之间建立测试

a. 如果使用了开关矩阵,进行开关连接。

b. 使用(ITMs)构建新的测试

c. 使用公式器工具计算器件参数

d. 在合理条件下设置退出

e. 对于监测退化,导出监测的参数值

f. 重复步骤b到步骤e,以监控更多的参数

3. 如果有多个DUT,则重复步骤2。

4. 在子项目中,设置应力条件。

a. 设置压力时间

b. 设置器件应力条件

i. 应力电压

ii. 引脚连接

iii. 目标退化值

iv. 进入下一个器件

5. 运行项目并检查退化数据

参数退化数据和原始测量数据在项目运行期间自动以Excel文件格式保存。因此,即使项目在完成前就停止了,也已经捕获了测量数据。应力之间的原始I-V曲线可以叠加在应力循环上,所以很容易看到I-V是如何作为应力时间的函数而退化的。图9显示了覆盖21个应力循环后的Vgs-Id曲线。

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图9. 多个应力的叠加数据图

图10是一个在晶圆片上测试五个位置的CHC项目的例子。4200A-SCS通过与市场上最常见的半自动探针台兼容的内置驱动程序控制探针台的移动。

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图10. 晶圆级CHC测试的范例

结论

Clarius中增强的应力测量循环可以轻松设置CHC测试。结合交互式测试界面、公式工具和强大的图形功能,Clarius使4200A-SCS成为评估器件可靠性参数的理想工具,如CHC诱导的MOSFETs退化,以及它在器件表征中更广为人知的作用。

参考

[1] JEDEC标准28-A,“Procedure for Measuring N-Channel MOSFET Hot-Carrier-Induced Degradation Under DCStress”,2001。

[2] Vijay Reddy,“An introduction to CMOS semiconductor Reliability”,IRPS教程,2004年。

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